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IRF630
A1973
El Transistor Mosfet componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles.Tipo de FET: MOSFETPolaridad de transistor: NDisipación total del dispositivo (Pd): 100 WTensión drenaje-fuente (Vds): 200 VTensión compuerta-fuente (Vgs): 20 VTensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 VCorriente continua de drenaje (Id): 10 ATemperatura operativa máxima (Tj): 150 °CConductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pFResistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 OhmEmpaquetado / Estuche: TO220
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El Transistor Mosfet componente electrónico que controla corrientes muy elevadas y su función es amplificar o interrumpir. Los Mosfet comunes en el mercado, contienen tienen tres terminales de salida que se llaman: Drain, Source y Gate por sus siglas en ingles.Tipo de FET: MOSFETPolaridad de transistor: NDisipación total del dispositivo (Pd): 100 WTensión drenaje-fuente (Vds): 200 VTensión compuerta-fuente (Vgs): 20 VTensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 VCorriente continua de drenaje (Id): 10 ATemperatura operativa máxima (Tj): 150 °CConductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1500 pFResistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 OhmEmpaquetado / Estuche: TO220