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Transistor de silicio NPN Darlington, diseñado para aplicaciones que requieren una ganancia extremadamente alta.Características: Voltaje colector-base (VCBO): 30V.Voltaje colector-emisor (VCES): 30V.Voltaje del emisor-base (VEBO):10V.Corriente de colector continua (IC): 500mA.Disipación de energía (PD): 625 mW.Temperatura de unión de funcionamiento y almacenamiento (TJ): -65°C ~150 °C.Resistencia térmica: 200O.

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Transistor de silicio NPN Darlington, diseñado para aplicaciones que requieren una ganancia extremadamente alta.Características: Voltaje colector-base (VCBO): 30V.Voltaje colector-emisor (VCES): 30V.Voltaje del emisor-base (VEBO):10V.Corriente de colector continua (IC): 500mA.Disipación de energía (PD): 625 mW.Temperatura de unión de funcionamiento y almacenamiento (TJ): -65°C ~150 °C.Resistencia térmica: 200O.

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