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BC556B
A3873
Características: -Polaridad del transistor: PNP-Voltaje colector base VCBO: -80 V-Voltaje de colector emisor VCEO: -65 V-Voltaje emisor base VEBO: -5 V-Corriente del colector DC: -100 mA-Disipación de potencia Pd (c=25°C): 1.5 W-Transición de frecuencia tf: 150 MHz-Ganancia de corriente continua hFE: 110 hFE-Temperatura de operación mínima: -55°C-Temperatura de operación máxima: 150 °C-Encapsulado: TO-92-3 pines
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Características: -Polaridad del transistor: PNP-Voltaje colector base VCBO: -80 V-Voltaje de colector emisor VCEO: -65 V-Voltaje emisor base VEBO: -5 V-Corriente del colector DC: -100 mA-Disipación de potencia Pd (c=25°C): 1.5 W-Transición de frecuencia tf: 150 MHz-Ganancia de corriente continua hFE: 110 hFE-Temperatura de operación mínima: -55°C-Temperatura de operación máxima: 150 °C-Encapsulado: TO-92-3 pines