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S8050
A3895
Características:Transistor Bipolar (BJT) NPNDispositivo diseñado para operar como amplificador de audioIC: 500 mAPD: 625 mWVCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 VhFE: 160 a 300 (Ranking D)FT: 150 MHz mínimoVCE(sat): 0.6 V max.Potencia de salida de 1 W en amplificadores con configuración clase B Push-pullEncapsulado: TO-92
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Características:Transistor Bipolar (BJT) NPNDispositivo diseñado para operar como amplificador de audioIC: 500 mAPD: 625 mWVCEO: 25 V, VCBO: 40 V, VEBO: 5 VhFE: 160 a 300 (Ranking D)FT: 150 MHz mínimoVCE(sat): 0.6 V max.Potencia de salida de 1 W en amplificadores con configuración clase B Push-pullEncapsulado: TO-92