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ESPECIFICACIONES:Tipo FET: Canal NTecnología: MOSFET (óxido de metal)Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 60VCorriente - consumo continuo (Id) a 25ºC: 500mAVgs (máx.): ±20VDisipación de potencia (Máx.): 830mWTemperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C