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Tipo de FET: JFETPolaridad de transistor: NESPECIFICACIONES MÁXIMAS:Disipación total del dispositivo (Pd): 0.35 WTensión drenaje-fuente |Vds|: 30 VTensión compuerta-fuente |Vgs|: 1 VCorriente continua de drenaje |Id|: 0.015 ATemperatura operativa máxima (Tj): 150 °C